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ITF电容参数的提取结构和方法

摘要

本发明提出了一种基于raphael仿真和互连线测试结构的无SEM数据的ITF电容参数的提取结构和方法,以精确有效的提取ITF电容参数。该方法包含了五种电容的测量和仿真,在raphael仿真时逐渐改变部分ITF参数,并将仿真结果和实测值进行对比,取仿真值和实测值最小误差所对应的ITF参数作为有效值;该方法仅仅结合实测电容值和raphael仿真结果、并且不使用SEM数据。

著录项

  • 公开/公告号CN103258811A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海北京大学微电子研究院;

    申请/专利号CN201110394946.7

  • 发明设计人 魏泰;秦晓静;蒋乐乐;程玉华;

    申请日2012-02-16

  • 分类号H01L23/544;G01R27/26;G06F17/50;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201203 上海市浦东新区盛夏路608号

  • 入库时间 2024-02-19 19:50:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-07

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/544 申请公布日:20130821 申请日:20120216

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-08-21

    公开

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