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硅微通道板真空填蜡结构释放方法

摘要

硅微通道板真空填蜡结构释放方法属于硅微细加工技术领域。现有技术工艺步骤较多,背部减薄消耗大量药品,且容易带来二次污染,石蜡填充效果差,盲孔率高,硅微通道板质量及成品率低。本发明在填蜡后抛光硅片背部,然后清洗并去蜡,其特征在于,所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内,再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉,抽真空后加热至所述石蜡熔化,熔化后的石蜡布满硅片正面,再将炉腔恢复常压,之后降温至室温。本发明填蜡充分,最后硅片的盲孔率仅为3.82×10

著录项

  • 公开/公告号CN103165362A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春理工大学;

    申请/专利号CN201310092179.3

  • 申请日2013-03-21

  • 分类号H01J9/12;B81C1/00;

  • 代理机构长春菁华专利商标代理事务所;

  • 代理人陶尊新

  • 地址 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号

  • 入库时间 2024-02-19 19:28:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-02

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J9/12 申请公布日:20130619 申请日:20130321

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J9/12 申请日:20130321

    实质审查的生效

  • 2013-06-19

    公开

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