一种集成功率晶体管的金属布局结构及其方法

摘要

本申请公开了一种集成功率晶体管的金属布局结构及其方法。所述集成功率晶体管的金属布局结构包括：第一金属层，第二金属层和第三金属层，其中所述第一金属层通过通孔连接至第二金属层；所述第二金属层通过超级通孔连接至第三金属层。本申请公开的集成功率晶体管的金属布局结构及其方法减小了金属连接阻抗，提高了系统性能。