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用于通过选择性偏置来降低高容量存储器中存储器阵列漏电的系统和方法

摘要

一种用于SRAM中漏电降低的源极偏置机制,其中SRAM单元被布置成多个扇区。在待机模式中,多个扇区中的扇区中的SRAM单元被取消选定,并且源极偏置电势被提供至多个扇区的SRAM单元。在工作模式中,提供至多个扇区中的选定的扇区的SRAM单元的源极偏置电势被停用,并且选定的扇区内的物理行中的SRAM单元被读取,同时未选定的扇区中的其余SRAM单元继续被源极偏置。提供给处于待机模式中的SRAM单元的源极偏置的电势可以基于控制信号的逻辑状态而被设置为不同的电压。

著录项

  • 公开/公告号CN102859600A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美商新思科技有限公司;

    申请/专利号CN201080047330.6

  • 发明设计人 N·贝赫拉;D·萨布哈尔沃尔;张勇;

    申请日2010-09-14

  • 分类号G11C11/412(20060101);G11C11/413(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华;边海梅

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 17:42:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-28

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C11/412 申请公布日:20130102 申请日:20100914

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-02-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/412 申请日:20100914

    实质审查的生效

  • 2013-01-02

    公开

    公开

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