用于高密度2.5D和3D集成的互连方法

摘要

本发明描述了通过显著减少Cu氧化物形成来在降低的温度(例如，至多200℃)下用于实现铜‑铜(Cu‑Cu)键合的方法和设备。这些技术提供更快的循环时间并不需要特殊措施(例如，形成气体)。这些技术还可实现更长的队列(Q)或分段时间。一个示例性半导体结构(100)一般包括半导体层(102)、被设置在所述半导体层(102)上方的粘附层(104)、被设置在所述粘附层(104)上方的阳极金属层(106)，以及被设置在所述阳极金属层(106)上方的阴极金属层(108)。所述阳极金属层(106)的氧化电位可高于所述阴极金属层(108)的氧化电位。这种半导体结构(100)可用于制造IC封装(300，400)，所述IC封装实现2.5D或3D的集成。