具有低随机电报信号噪声的半导体装置

摘要

本揭露涉及具有低随机电报信号噪声的半导体装置。本发明实施例涉及一种半导体装置，其包括源极/漏极扩散区域及第一掺杂区域。所述源极/漏极扩散区域界定于第一隔离结构与第二隔离结构之间。所述源极/漏极扩散区域包含源极区域、漏极区域及装置沟道。所述装置沟道位于所述源极区域与所述漏极区域之间。所述第一掺杂区域在从所述源极区域到所述漏极区域的方向上沿所述装置沟道与所述第一隔离结构之间的第一结安置。所述第一掺杂区域与所述源极区域及所述漏极区域中的至少一者分离，且具有高于所述装置沟道的掺杂物浓度的掺杂物浓度。本揭露的半导体装置具有低随机电报信号噪声及较少缺陷。