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热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法

摘要

本发明属于激光晶体领域,具体涉及一种热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法。本发明的热释光或光释光剂量学晶体为一种掺碳钇铝石榴石晶体。本发明还公开了该晶体的制备方法,包括如下步骤:按配比将原料经混料、研磨和成型工艺制得晶体生长原料,然后采用导向温梯法或下降法在还原气氛中生长。本发明的掺碳钇铝石榴石晶体具有更高的热释光和光释光灵敏度,更宽的线性剂量响应范围,更好的热释光和光释光性能稳定性,同时具有加工方便、晶体生长温度低,成本较低的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN101603204B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN200910054968.1

  • 发明设计人 李红军;杨新波;徐军;苏良碧;

    申请日2009-07-16

  • 分类号

  • 代理机构上海光华专利事务所;

  • 代理人许亦琳

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-08-08

    授权

    授权

  • 2010-02-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-12-16

    公开

    公开

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