一种基于分子层沉积的孔径可调多孔金属氧化物制备方法

摘要

本发明公开了一种孔径可调多孔金属氧化物的制备方法，包括以下步骤：首先选取合适的基底；随后将该基底放入分子层沉积(molecular layer deposition，MLD)设备的反应腔中，通过高真空处理，除去基底表面吸附的水分等；然后通过交替通入金属前驱体和氧源，在基底表面沉积得到一定厚度的有机金属层；最后，通过煅烧，出去有机金属层中的有机组分，得到多孔的金属氧化物层。简单调控沉积的次数，即可实现有机金属层厚度的调控；通过改变氧源的分子链长度和煅烧条件，即可实现多孔金属氧化物层孔径的调控。本发明仅通过MLD设备和煅烧，即可制备得到孔径可调的多孔金属氧化物，制备方法简单，且孔径可以通过调整氧源和煅烧条件实现精密控制，适应性强。