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真空高低温半导体器件测试探针台及半导体器件测试方法

摘要

一种真空高低温半导体器件测试探针台,包括真空腔、防辐射屏、样品台、探针臂;真空腔用于形成密封测试环境;所述防辐射屏用于阻挡外界对样品台的辐射,位于所述真空腔中;所述样品台用于放置样品,位于所述防辐射屏中;所述探针臂包括探针针杆以及位于所述探针针杆末端的探针,所述探针针杆穿过所述真空腔、防辐射屏,使所述探针伸入样品所在位置以进行点针。本发明还公开一种半导体器件测试方法,使用如上所述的真空高低温半导体器件测试探针台。本发明提供的半导体器件测试探针台及半导体器件测试方法,通过设置真空腔、防辐射屏等结构,能够有效的营造一个集成高温、低温、真空等测试环境,能够为生产出来的半导体器件提供稳定的测试环境。

著录项

  • 公开/公告号CN110412441A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市森美协尔科技有限公司;

    申请/专利号CN201910551107.8

  • 发明设计人 刘世文;范玉祥;

    申请日2019-06-24

  • 分类号G01R31/26(20140101);G01R1/04(20060101);G01R1/067(20060101);G01R1/18(20060101);

  • 代理机构31264 上海波拓知识产权代理有限公司;

  • 代理人周志中

  • 地址 518100 广东省深圳市宝安区西乡街道恒丰工业城C1栋301

  • 入库时间 2024-02-19 15:02:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20190624

    实质审查的生效

  • 2019-11-05

    公开

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