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巨磁致电阻器件和磁性隧道结结构及包括其的电子设备

摘要

本发明涉及巨磁致电阻器件和磁性隧道结结构及包括其的电子设备。根据一示例性实施例,一种巨磁致电阻器件可包括:第一参考磁层,具有固定的第一面内磁矩;自由磁层,具有在与所述第一参考磁层的第一面内磁矩基本平行和反平行的方向上可翻转的第二面内磁矩;第一间隔层,位于所述第一参考磁层和所述自由磁层之间,并且由非磁金属材料形成;以及第一电极和第二电极,设置在所述第一参考磁层、自由磁层和第一间隔层的相对两侧,用于施加流过它们的面内电流,其中,所述第一电极和第二电极施加的面内电流的方向与所述第一参考磁层的第一面内磁矩的方向成一角度,所述角度在30度至150度的范围内。

著录项

  • 公开/公告号CN110335940A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN201910619674.2

  • 发明设计人 韩秀峰;房驰;万蔡华;

    申请日2019-07-10

  • 分类号H01L43/06(20060101);H01L43/08(20060101);

  • 代理机构11497 北京市正见永申律师事务所;

  • 代理人黄小临;冯玉清

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2024-02-19 14:12:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/06 申请日:20190710

    实质审查的生效

  • 2019-10-15

    公开

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