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新型电阻式随机存取存储器件、存储单元及其制造方法

摘要

一种存储器单元包括:部分地嵌入到第一介电层中的第一接触部件;加衬里于第一接触部件的阻挡层,其中,阻挡层包括设置在第一接触部件和第一介电层之间的第一部分以及设置在第一介电层之上的第二部分;设置在第一接触部件之上的电阻材料层,电阻材料层通过阻挡层的第二部分连接至第一接触部件;以及嵌入到位于第一介电层之上的第二介电层中的第二接触部件。本发明还提供了新型电阻式随机存取存储器件以及存储单元的制造方法。

著录项

  • 公开/公告号CN110211989A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201810762749.8

  • 发明设计人 王惠姿;汪柏澍;王伟民;

    申请日2018-07-12

  • 分类号H01L27/24(20060101);H01L23/528(20060101);H01L23/532(20060101);H01L21/8246(20060101);

  • 代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲;李伟

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2024-02-19 14:12:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/24 申请日:20180712

    实质审查的生效

  • 2019-09-06

    公开

    公开

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