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公开/公告号CN110129889A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-16
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN201910517450.0
发明设计人 王立莉;丁翠;薛其坤;
申请日2019-06-14
分类号C30B29/46(20060101);C30B25/10(20060101);C30B25/18(20060101);H01B12/00(20060101);
代理机构44311 深圳市鼎言知识产权代理有限公司;
代理人张利杰
地址 100084 北京市海淀区北京100084-82信箱
入库时间 2024-02-19 12:54:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-16
公开
机译: FeSe,FeTe多晶硅锭和FeSeXTe1-X固溶体的生产过程
机译: 多晶薄膜的制备方法,氧化物超导体的制备方法及其装置
机译: 多晶薄膜及其制备方法和氧化物超导体及制备方法
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机译:使用原子探测断层扫描的多晶硅晶体中晶界和分离脱位的元素表征标本制备方法
机译:用于散装FESE和FESE0.5TE0.5超导体的电气和磁性
机译:磁场穿透长度组成依赖于超导体谐振器的Fese_(1-x)Te_x薄膜
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:超导体FeSe的四面体FeSe2链化学切除:Fe3Se4(en)2的合成晶体结构和磁性
机译:取代和热处理途径对多晶硅的影响 Fese0.5Te0.5超导体
机译:高温含汞超导体及其制备方法