公开/公告号CN110174833A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 成都天奥电子股份有限公司;
申请/专利号CN201910522733.4
申请日2019-06-17
分类号G04F5/14(20060101);G21K1/00(20060101);
代理机构51224 成都顶峰专利事务所(普通合伙);
代理人王霞
地址 610000 四川省成都市金牛区金科东路50号2#楼
入库时间 2024-02-19 12:50:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-20
实质审查的生效 IPC(主分类):G04F5/14 申请日:20190617
实质审查的生效
2019-08-27
公开
公开
机译: 用于冷原子装置的磁光阱,具有布置成将初级光束分成强度相同的一组次级光束的光学分离器,以及在真空室周围布置次级光束的光学单元
机译: 具有磁场的磁光阱,其彼此部分地补偿,特别是作为连续的冷原子源
机译: 冷原子束源的磁光阱