互连结构的设计方法、装置及制造方法

摘要

本公开提供了一种互连结构的设计方法、装置及制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：根据芯片设计图的电路区域中金属互连层的数量设计n种虚拟互连单元，第i种虚拟互连单元包括i层金属互连层，第j种虚拟互连单元中相邻的金属互连层通过通孔连接，其中，n≥2，1≤i≤n，2≤j≤n；在芯片设计图中除电路区域之外的区域中填充虚拟互连单元，其中，优先填充第j种虚拟互连单元，在所述区域中没有空间用于填充第j种虚拟互连单元的情况下，才填充第j‑1种虚拟互连单元。