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卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法

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卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法，所述的金属硫属化合物为过渡金属硫族化物，所述金属卤化物为MX3(M为金属，X为卤族元素)，用二维材料MX3为缓冲层，以卤族元素原子、碱金属原子或碱土金属原子为掺杂原子。

著录项

公开/公告号CN109860061A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-07

原文格式PDF
申请/专利权人南开大学;
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申请/专利号CN201910059719.5
发明设计人王维华;吴茂坤;卢峰;刘晖;程雅慧;王卫超;董红;解新建;
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申请日2019-01-22
分类号H01L21/383(20060101);H01L21/40(20060101);
代理机构12229 天津合正知识产权代理有限公司;
代理人陈松
地址 300350 天津市南开区海河教育园南开大学
入库时间 2024-02-19 11:09:28

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-07-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/383 申请日:20190122

实质审查的生效
2019-06-07

公开

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