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BaGa4Se7化合物、BaGa4Se7非线性光学晶体及制法和用途

摘要

本发明涉及BaGa4Se7化合物、BaGa4Se7非线性光学晶体及制法和用途;该BaGa4Se7化合物采用固相反应制备;BaGa4Se7非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法、助熔剂法或坩埚下降法生长;在该BaGa4Se7非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹,具有生长速度较快,成本低,容易获得较大尺寸晶体等优点;所得BaGa4Se7非线性光学晶体具有比较宽的透光波段,硬度较大,机械性能好,不易碎裂和潮解,易于加工和保存等优点;该BaGa4Se7非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。

著录项

  • 公开/公告号CN101767778B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院理化技术研究所;

    申请/专利号CN201019114049.9

  • 申请日2010-02-03

  • 分类号C01B19/00(20060101);C30B29/46(20060101);C30B9/12(20060101);C30B11/02(20060101);C30B33/02(20060101);G02F1/355(20060101);

  • 代理机构11318 北京法思腾知识产权代理有限公司;

  • 代理人高宇;杨小蓉

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北一条2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-08-15

    授权

    授权

  • 2011-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 19/00 申请日:20100203

    实质审查的生效

  • 2010-07-07

    公开

    公开

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