形成在掩埋介电层的两侧上具有半导体器件的器件的方法

摘要

一种方法包括从掩埋介电层的第二侧执行蚀刻工艺以暴露蚀刻停止层，其中掩埋介电层的第二侧与掩埋介电层的第一侧相对，并且其中第一半导体器件定位在掩埋介电层的第一侧上。该方法还包括在掩埋介电层的第二侧上形成第二半导体器件。