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一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu2-xSe阵列的方法

摘要

本发明涉及一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu2-xSe阵列的方法,包括:(1)将铜基底表面打磨后放入浓盐酸中浸泡,洗涤,烘干后备用;(2)将硒粉超声溶解在氢氧化钠或氢氧化钾溶液中;(3)将铜基底与上述得到的溶液转移至高压反应釜中,加入生长导向剂,添加去离子水或有机溶剂B至反应釜体积的4/5~24/25,于20~200℃反应0.5~50小时;待反应结束,取出铜基底,用乙醇洗涤,干燥后,即得到在铜基底上的纳米Cu2-xSe阵列。本发明操作简单,设备要求低,可以规模化生产,在微电子器件、太阳能电池方面具有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN102030315B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东华大学;

    申请/专利号CN201010508607.2

  • 申请日2010-10-15

  • 分类号C01B19/04(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所;

  • 代理人黄志达;谢文凯

  • 地址 201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-09

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 19/04 授权公告日:20120725 终止日期:20141015 申请日:20101015

    专利权的终止

  • 2012-07-25

    授权

    授权

  • 2011-06-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 19/04 申请日:20101015

    实质审查的生效

  • 2011-04-27

    公开

    公开

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