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利用原子层沉积制备碳洋葱/氧化钒纳米复合材料的方法

摘要

本发明公开了一种利用原子层沉积技术制备碳洋葱/氧化钒纳米复合材料的方法,属于纳米材料制备工艺技术领域。本专利发明了一种碳洋葱/氧化钒纳米复合材料,该纳米复合材料中碳洋葱堆叠成三维多孔结构,可提供优越的充放电循环稳定性,通过在碳洋葱表面均匀负载上氧化钒后,更有效提高了碳洋葱的赝电容,使得该纳米复合材料展现出优越的电化学性能;同时该纳米复合材料能耗低、成本低、纯度高,所合成的碳洋葱/氧化钒纳米复合材料产量可达到公斤级,同时可通过调整原料配比进而调控所合成复合材料中碳洋葱与氧化钒的质量比,达到控制纳米复合材料的孔径及比表面积的目的。该复合材料在锂离子电池中具有潜在应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN109841421A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 谢春艳;

    申请/专利号CN201811604662.4

  • 发明设计人 不公告发明人;

    申请日2018-12-26

  • 分类号H01G11/24(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/36(20130101);H01G11/46(20130101);H01G11/86(20130101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 315000 浙江省宁波市镇海区金华南路888号吾悦广场一期1号802室

  • 入库时间 2024-02-19 10:33:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G11/24 申请日:20181226

    实质审查的生效

  • 2019-06-04

    公开

    公开

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