制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法

摘要

公开了制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法。包括在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场终止区带部分。在第一场终止区带部分上形成第一导电类型的漂移区带。漂移区带的平均掺杂浓度小于第一场终止区带部分的平均掺杂浓度的80%。在第一表面处处理半导体主体。通过从与第一表面相对的第二表面移除半导体衬底的材料来进行薄化。通过将处在一个或多个能量的质子通过第二表面注入到半导体主体中来形成第一导电类型的第二场终止区带部分。质子的最深的范围边界峰值按在从3μm到60μm的范围中的距漂移区带与第一场终止区带部分之间的过渡部的竖向距离设置于第一场终止区带部分中。通过热处理来对半导体主体进行退火。