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基于硅-相变材料混合集成硅波导的多级非易失性光衰减器

摘要

一种基于硅‑相变材料混合集成硅波导的多级非易失性光衰减器,制作在绝缘体硅基片上,所述的绝缘体硅基片包含底层本征硅层、中间绝缘体层和上面的第二本征硅层,在第二本征层中形成硅波导,在硅波导有源区的部分进行掺杂,形成掺杂波导区域,再在掺杂波导区域的部分区域和硅波导有源区部分区域的顶部依次沉积相变材料层和上电极层,整体结构再覆盖一定厚度的上包层,所述的掺杂硅波导和上电极层通过通孔与位于所述的上包层外的阳极金属平板和阴极金属平板相连接。本发明多级光衰减器具有读写速度快(ns量级)、循环次数高(>10

著录项

  • 公开/公告号CN109870833A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201910148577.X

  • 申请日2019-02-28

  • 分类号

  • 代理机构上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张宁展

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2024-02-19 10:10:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/025 申请日:20190228

    实质审查的生效

  • 2019-06-11

    公开

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