氧化物半导体薄膜的品质评价方法及上述氧化物半导体薄膜的品质管理方法以及使用该品质评价方法的半导体的制造装置

摘要

本发明是氧化物半导体薄膜的品质评价方法，选出在通过μ‑PCD法测定出的激励光停止后的每个经过时间的各信号值以及该经过时间代入到下述式(1)而得到的各计算值当中，计算值最高的峰值以及上述峰值的时间常数(μ秒)，根据上述峰值以及上述时间常数推定存在于上述氧化物半导体薄膜中的缺陷能级的能量位置和缺陷密度。x＝信号值×信号值的经过时间…式(1)，式中，x：计算值，信号值：微波的反射率(mV)，信号值的经过时间：从激励光停止后到信号值为止的经过时间(μ秒)。