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公开/公告号CN109581781A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南师范大学;
申请/专利号CN201910098493.X
发明设计人 蒋乐勇;许姣;唐娇;彭宇翔;郑之伟;
申请日2019-01-31
分类号G02F3/02(20060101);
代理机构43108 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙);
代理人颜昌伟
地址 410006 湖南省长沙市岳麓区麓山路36号
入库时间 2024-02-19 09:04:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G02F3/02 申请日:20190131
实质审查的生效
2019-04-05
公开
机译: 包含基于GaInP的光子晶体且无双光子吸收的光学器件
机译: 包括基于GaInP的光子晶体且不被两个光子吸收的光学器件
机译: 包含基于增益的光子晶体且无两次光子吸收的光学器件
机译:基于一维光子晶体波导的光学双稳态器件
机译:对称一维光子晶体中色散介质的正常耦合模式和低阈值双稳态
机译:非线性一维光子晶体的低阈值双稳态开关
机译:用于光学集成的光学双稳态光子晶体器件
机译:基于嵌入式一维亚波长结构光子晶体层的偏振光学器件。
机译:基于连续态束缚态的光子晶体平板上环形纳米孔阵列的超灵敏光学反射率
机译:光子晶体波导中慢光的低阈值双稳态
机译:采用光致变形薄膜的具有极低阈值强度的新型光学双稳态器件