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适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器

摘要

本发明公开一种适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器,包括:硅基衬底;N阱和P阱,设置在硅基衬底上,并在界面处设置P型重掺杂区;第一P型重掺杂区与第一N型重掺杂区,间隔设置在N阱上,并在之间设置第一浅沟槽隔离;第二P型重掺杂区与第二N型重掺杂区,间隔设置在P阱上,并在之间设置第二浅沟槽隔离;第三浅沟槽隔离,设置在第一N型重掺杂区与P型重掺杂区之间;第四浅沟槽隔离,设置在第二N型重掺杂区与P型重掺杂区之间;阳极,与第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区电连接;阴极,与第二P型重掺杂区与第二N型重掺杂区电连接。本发明在满足无回滞效应的功能下,实现器件版面结构之小型化,值得业界推广应用。

著录项

  • 公开/公告号CN109148441A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201811014872.8

  • 发明设计人 朱天志;

    申请日2018-08-31

  • 分类号H01L27/02(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人智云

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2024-02-19 08:37:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20180831

    实质审查的生效

  • 2019-01-04

    公开

    公开

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