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一种稀土掺杂半导体纳米晶的水相合成方法

摘要

本发明公开了一种稀土掺杂半导体纳米晶的水相合成方法,其特征在于,采用水相法合成CdX:Y纳米晶,其中X为元素Se或Te,Y为稀土元素Sm或稀土元素Eu,具体为配制含有Cd源、Sm源/Eu源以及稳定剂的混合溶液,将所述混合溶液的pH值调节至8‑9.5,在氮气氛围下向所述混合液中注入NaHSe/NaHTe溶液,加热完成反应,从反应液中分离得到纳米晶。本发明所述的稀土掺杂半导体纳米晶的水相合成方法,合成的纳米晶具有分散性好,结晶优良,发光效率高的特点。本发明的水相合成方法中采用的巯基稳定剂合成的纳米晶具有成本低、重复性好和易操作等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN109575921A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 内蒙古科技大学包头师范学院;

    申请/专利号CN201910001596.X

  • 发明设计人 高俊芳;杨峻宏;

    申请日2019-01-02

  • 分类号

  • 代理机构北京中慧创科知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人由元

  • 地址 014000 内蒙古自治区包头市青山区科学路3号内蒙古科技大学包头师范学院

  • 入库时间 2024-02-19 08:11:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/88 申请日:20190102

    实质审查的生效

  • 2019-04-05

    公开

    公开

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