用于SiC或GaNMOSFET晶体管的开关装置的短路保护电路及相关方法

摘要

本发明涉及一种功率开关装置(10)，其包括至少一个能够由主电流(I；Ia，Ib，Ic)能够行进通过的SiC或GaN MOSFET型晶体管(12；12a，12b，12c)；所述开关装置(10)包括至少一个测量模块(14；14a，14b，14c)，所述至少一个测量模块被配置为从由所述晶体管(12；12a，12b，12c)和至少一个保护电路(16；16a，16b，16c)产生的电磁场间接测量所述晶体管(12；12a，12b，12c)的主电流，所述至少一个保护电路基于所述主电流(I；Ia，Ib，Ic)的时间漂移的符号来检测短路。