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公开/公告号CN109403308A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院寒区旱区环境与工程研究所;雅砻江流域水电开发有限公司;
申请/专利号CN201811539235.2
发明设计人 俞祁浩;郭绪元;王新斌;王金国;任秀玲;杨希;岳攀;王爱国;杨明;
申请日2018-12-17
分类号
代理机构兰州中科华西专利代理有限公司;
代理人曹向东
地址 730000 甘肃省兰州市东岗西路320号
入库时间 2024-02-19 07:11:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-26
实质审查的生效 IPC(主分类):E02D3/00 申请日:20181217
实质审查的生效
2019-03-01
公开
机译: 一种用于制造具有大ε的栅电极结构的方法,以通过在沉积之后包括金属覆盖层来提高其完整性
机译: 一种在半导体元件和半导体器件中的接触孔结构化过程中减少金属覆盖层腐蚀的方法,该保护材料具有用于减少金属覆盖层腐蚀的保护材料
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机译:一种新型DTSCR,具有变化的横向基极掺杂结构,可提高导通速度,以实现ESD保护
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