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校准OPC和PWOPC模型焦平面的方法

摘要

本发明公开了一种校准OPC和PWOPC模型焦平面的方法,在FEM晶圆上收集1D结构图形线宽量测数据;形成一份标准超级线宽量测数据格式文件;选出对焦距敏感度高的图形数据;得到一个泊松对称处理后的焦平面值;提取每组泊松对称处理后的像平面和焦平面值并分析数据,得到像平面‑焦平面的泊松对称曲线,并对数据趋势线进行多项式拟合计算,得到像平面和焦平面的函数表达式;用拟合得到的满足泊松对称关系的像平面和焦平面的数学关系式去校准OPC和PWOPC模型的焦平面。本发明能确保OPC和PWOPC模型对不同曝光能量和聚焦平面条件下工艺窗口大小的预测准确性和对制程参数变化的灵敏性。

著录项

  • 公开/公告号CN109298593A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201811477081.9

  • 发明设计人 汪牡丹;于世瑞;

    申请日2018-12-05

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴广志

  • 地址 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2024-02-19 07:03:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/36 申请日:20181205

    实质审查的生效

  • 2019-02-01

    公开

    公开

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