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一种适用于CVQKD系统的高消光比光脉冲产生方法

摘要

本发明公开了一种适用于CVQKD系统的高消光比光脉冲产生方法,激光器产生的连续光经CIR进入BS,然后按强度分束比分成BS3和BS4两束,从BS3输出的光信号经环路顺时针旋转传输后通过BS4回到保偏光耦合器BS,然后被分成两束S341和S342;从BS4输出的光信号经环路逆时针旋转传输后通过BS3回到保偏光耦合器BS,然后被分成两束S431和S432,S341和S431的干涉结果从CIR3输出至端口Port2;S342和S432的干涉结果从BS2输出至Port3。与现有技术相比,本发明的积极效果是:成本低;实现简单、稳定;倍频;消光比极高。

著录项

  • 公开/公告号CN109327266A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810971520.5

  • 发明设计人 刘金璐;樊矾;徐兵杰;

    申请日2018-08-24

  • 分类号H04B10/508(20130101);H04B10/70(20130101);H04L9/08(20060101);

  • 代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;

  • 代理人邓世燕

  • 地址 610000 四川省成都市高新区创业路6号

  • 入库时间 2024-02-19 06:55:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04B10/508 申请日:20180824

    实质审查的生效

  • 2019-02-12

    公开

    公开

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