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【2h】

硅钨酸为前驱物的W(Si)/HZSM-5-基催化剂上甲烷脱氢芳构化

机译:硅钨酸为前驱物的W(Si)/HZSM-5-基催化剂上甲烷脱氢芳构化

摘要

报道以硅钨酸H_8(Si(W_2O_7)_6)代替钨酸铵作为W组分的前驱物,制备一类HZMS-5负载W-基催化剂。在1073K、0.1MPa、原料气组成为CH_4+10%Ar、相应之GHSV=960h~(-1)的反应条件下,考察其对甲烷无氧条件下脱氢芳构化(DHAM)的催化活性。结果表明,W负载量以6%~9%(质量百分数)为佳;在6%W(Si)/HZSM-5催化剂上,甲烷转化率最高可达~20%,相应苯选择性为~60%。焙烧温度对催化剂表面W物种的存在形态及至对其DHAM催化活性有相当影响;以~773K焙烧制得催化剂的活性为佳。引入适量助剂Ni促使氧化前驱态催化剂的还原温度有所下降,并延长催化剂的寿命。
机译:报道以硅钨酸H_8(Si(W_2O_7)_6)代替钨酸铵作为W组分的前驱物,制备一类HZMS-5负载W-基催化剂。在1073K、0.1MPa、原料气组成为CH_4+10%Ar、相应之GHSV=960h~(-1)的反应条件下,考察其对甲烷无氧条件下脱氢芳构化(DHAM)的催化活性。结果表明,W负载量以6%~9%(质量百分数)为佳;在6%W(Si)/HZSM-5催化剂上,甲烷转化率最高可达~20%,相应苯选择性为~60%。焙烧温度对催化剂表面W物种的存在形态及至对其DHAM催化活性有相当影响;以~773K焙烧制得催化剂的活性为佳。引入适量助剂Ni促使氧化前驱态催化剂的还原温度有所下降,并延长催化剂的寿命。

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