ZnO growth dynamics and kinetics on (0001) Zn-polar surface

摘要

近年来，随着宽禁带化合物半导体制备技术的不断发展，以GaN和ZnO基半导体为代表的材料在光电子器件和微纳尺度电子器件得到普遍应用，受到人们广泛地关注。ZnO基半导体由于具有较宽禁带宽度和较大的激子束缚能等特点，使其在发光二极管、激光器等诸多器件中有着明显的优势，其高质量ZnO单晶薄膜的制备为当今半导体研究的热点。 本论文围绕ZnO在（0001）Zn极性表面上的晶体动力学微观机制、表面动力学生长过程、以及高质量ZnO薄膜可控生长，从理论和实验两方面开展研究。采用第一性原理计算方法，计算Zn原子、ZnO分子、ZnR3ROR1R以及ZnR1ROR3R团簇四种典型沉积单体模型的系统总能、扩散势垒以及...