Study on controllable growth and surface doping of large area CVD graphene

摘要

对石墨烯进行一定程度的改性是开发和实现其应用不可或缺的步骤。化学方法可能是最好的方法之一，目前，基于化学改性的石墨烯开发的触摸屏、超级电容、光电器件等应用已经取得了巨大的突破，越来越多的人们开始尝试通过化学的方法改善石墨烯的某一处或几处不完美之处，探索石墨烯在更多领域的应用。在实现其广泛应用的道路上，高质量石墨烯的可控制备同样是一个急需解决的问题。 本文在铜基CVD法石墨烯制备技术基础上，利用同位素标定及Raman、SEM等表征技术，在石墨烯生长机理、大面积双层石墨烯以及单晶石墨烯的可控制备方面做了一系列工作。首先在低甲烷高氢气流量条件下制备尺寸达328um的单晶石墨烯；其次，通过电化学抛光...