Research of improving the luminescent efficiency of GaN based LED

摘要

Ⅲ-Ⅴ族GaN基是直接带隙半导体材料，由于其禁带宽度大、熔点高、热导率高、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强和化学稳定性好等优点，而广泛应用于制造蓝、绿、紫外发光二极管(LED)，激光器(LD)，紫外光电探测器(UV-detector)及高温、高频、大功率电子器件。其中LED具有寿命长，发热少，维护少，光色可变，体积小，响应时间短等优点，在交通指示灯，LCD背光源，景观照明等领域有着广泛的应用，更重要的是GaN基蓝光LED的成功研制完善了色谱，实现了全色显示，进而高亮度白光LED被视为第三代照明光源，其具有庞大的照明市场和显著的节能前景而受到各国的重视，研发力度不断加大。但是，GaN基LED材料...