首页> 外文OA文献 >Al-doped ZnO (AZO) thin film deposited by RF magnetron sputtering and its application on multicrystalline solar cell
【2h】

Al-doped ZnO (AZO) thin film deposited by RF magnetron sputtering and its application on multicrystalline solar cell

机译:射频磁控溅射沉积铝掺杂ZnO(AZO)薄膜及其在多晶硅太阳能电池中的应用

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

掺Al的ZnO薄膜(简称AZO)不但制备简单、价格低廉、无毒无害而且具有透明、导电等优良特性。本文试图将AZO这些特性用于多晶硅半导体太阳电池制备中,希望能降低电池的成本、提高电池的性能。本文主要的工作和成果如下: 1.研究了室温下工艺条件(溅射功率、氩气流量)对AZO薄膜电学、光学、结构、表面形貌等性质的影响,获得AZO薄膜制备的最佳工艺条件:溅射功率150W,氩气流量60sccm(气体压强为0.6Pa)。 2.研究了退火对磁控溅射AZO薄膜性能的影响。在N2氛围中的退火,发现退火对此条件溅射的AZO薄膜的透射光学性质影响不大,在可见光区域透射率均在90%左右。 3.首次研究了形成AZ...
机译:掺Al的ZnO薄膜(简称AZO)不但制备简单、价格低廉、无毒无害而且具有透明、导电等优良特性。本文试图将AZO这些特性用于多晶硅半导体太阳电池制备中,希望能降低电池的成本、提高电池的性能。本文主要的工作和成果如下: 1.研究了室温下工艺条件(溅射功率、氩气流量)对AZO薄膜电学、光学、结构、表面形貌等性质的影响,获得AZO薄膜制备的最佳工艺条件:溅射功率150W,氩气流量60sccm(气体压强为0.6Pa)。 2.研究了退火对磁控溅射AZO薄膜性能的影响。在N2氛围中的退火,发现退火对此条件溅射的AZO薄膜的透射光学性质影响不大,在可见光区域透射率均在90%左右。 3.首次研究了形成AZ...

著录项

  • 作者

    杨倩;

  • 作者单位
  • 年度 2011
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 zh_CN
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号