机译:增强模式研究HFO2绝缘N-极性GaN / Inn / GaN / In0.9Al0.1N异质结构Mishemt用于高频应用
机译:基于俄歇电子能测量的GaN基横向极性结构的功函数分析
机译:GaN晶格极性的直接表征及其在原子分辨率高压电子显微镜下的应用
机译:用于光子晶体生物传感器应用的极性反转GaN
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:基于俄歇电子能测量的GaN基横向极性结构的功函数分析