Research on Si-based Ge micro-region structure and Ge lateral PIN photodetector

摘要

硅基光电探测器是硅基光电子技术重要的组成部分。近年来，锗（Ge）材料由于在近红外波段吸收系数高，空穴载流子迁移率大且能与硅基工艺兼容等特性在硅基探测器领域备受关注。为进一步提高光电特性，需要在Ge层中引入张应变，而张应变的引入可以通过微区结构来得到。基于硅基Ge外延材料，构造Ge微区结构的腐蚀过程一般只对Si材料的腐蚀速率有过研究，而对材料中存在的大量位错对结构制备影响的分析却并未开展。因此，研究腐蚀液中硅基Ge样品位错的影响，提高Ge微区结构应变，对提高Ge光电探测器性能有着重要的意义。 本文对硅基Ge外延材料中锗硅位错密集区在TMAH溶液中产生的影响进行了详细分析，并对SOI基Ge横向P...