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【2h】

Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates

机译：硅衬底上拉伸应变的Ge / SiGe量子阱中的量子限制直接带跃迁

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National Basic Research Program of China [2007CB613404]; National Natural Science Foundation of China [60676027, 50672079, 60837001]; Program for New Century Excellent Talents in the University; State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics

机译：中国国家基础研究计划[2007CB613404]；国家自然科学基金[60676027，50672079，60837001];大学新世纪优秀人才计划；信息学功能材料国家重点实验室

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作者
Chen Y. H.; Li C.; Lai H. K.; Chen S. Y.; 陈松岩; 李成;
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年度 2010
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