低临界光场液晶光学双稳态研究

摘要

本文首先分析了实现低临界光场Fabry-Perot腔光学双稳态腔参数最优化问题，全面回顾了本征Fabry-Perot腔光学双稳态理论并用数值方法研究了对称腔，费对成腔，对称腔腔外吸收情形最低临界光场Ic和Id对Fabry-Perot腔参数的依赖关系及其变化规律。本文首次相互联系地研究了重取向效应和热致折变效应对液晶光学双稳态的影响。分析了液晶（或掺入染料）吸收对液晶光学双稳态的重取向理论的影响。同时，也分析了液晶热，致折变理论，在此基础上考虑重取向效应，使最低临界光场Ic和Id变得更低。