用光伏法及红外吸收法分析硅单晶质量

摘要

本文实验的单晶样品有西德中子辐照后尚未退火的FZ、N-Si(I1#、I2#)、NN+-Si(l5#)和美国CZ、P-Si(6#)以及国内CZ、P-Si(2#、4#,包括扩金样品)。整个实验是这样设计的：（1）测量样品的少子扩散长度；（2）用中红外光谱测量其间隙氧和替位碳含量；（3）寻求红外光谱基线高低与少子扩散长度间的关系。（4）通过测量大量样品的红外吸收光谱发现，样品的红外吸收光谱基线与少子扩散长度存在如下关系：基线愈高，少子扩散长度愈短。从而得到一个同样表征硅单晶质量的另一个重要特征参数一基线。（5）通过分析，认为基线有其特定的物理含义，即为单晶中杂质种类、含量水平的综合反映，而且为相应的...