Microstructure and Properties of the FeNi-O/HfO2n Soft Magnetic Multilayer Films for High Frequency Application

摘要

随着电子设备的革新和信息科技的迅猛发展，电子元器件加速朝向小型化、 集成化以及高频化发展，因此迫切需要提高电子元器件中高频软磁材料的性能。 一种良好的高频磁性材料，应同时具备高饱和磁化强度、高电阻率、低矫顽力、 高的初始磁导率以及高的自然共振频率。传统的Fe、Co、Ni基强磁性单层薄膜 在高频下的涡流损耗严重，因而其应用受到相当大的限制；而高电阻率的铁氧体 材料由于弱磁性导致其初始磁导率很低，其应用仍有很大的局限性。因此，由高 饱和磁化强度的合金以及高电阻率的绝缘相复合构成的纳米多层薄膜成为研究 热点。其中，FeNi基软磁薄膜材料不仅具有高饱和磁化强度，同时，由于极低 的磁致伸...