光伏谱方法研究半导体性质

摘要

本工作采用光伏谱方法详细研究了GaAs/AlAs超晶格价带子带与导带子带之间的光跃迁和状态密度分布以及超晶格光伏效应的机理，系统地研究了金掺杂和电子辐照对高阻硅单晶性能的影响，并提出了一种测量半导体深能级的新方法——双光束光伏法。