The Research and Fabrication of Silicon-based Light Emitting Materials and Si-MSM-PD with Better Performance

摘要

硅是目前世界上矿藏最丰富且微电子工艺最成熟的半导体材料，也是光电集成最理想的半导体材料。但是由于硅具有间接带隙，跃迁几率很低，引起硅的发光效率极低，并且发光不稳定，因此硅基发光一直是硅光电集成中最重要的难题。另外，为实现全硅光电集成，硅探测器在光互连，大容量通讯等领域中具有深远的应用前景。硅MSM结构光电探测器工艺简单，与CMOS等工艺兼容，是硅光电集成研究的一个热点。但是，由于硅本身对光的吸收系数比较低引起对光的吸收长度较长，从而引起硅MSM结构光电探测器响应速率和响应度不高。本文针对以上两个问题进行了研究，并为硅基光电单片集成做准备工作：一．多孔硅发光的制备和钝化研究。硅的发光效率低及不稳...