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机译:关于单层1T-MoS2吸附元素汞的密度泛函理论研究
机译:采用密度泛函理论对二元合金PbnAgn (n=2-12)团簇的结构和电子性质进行研究
机译:添加(Ti,Ta)或(Ti,Ga)的Nb_3Sn的上临界磁场和临界电流密度特性
机译:Ba(Zn [1/3] Ta [2/3])O [3] -Ba(Zn [1/3] Nb [2/3])O [3]系统和BaO-Sm [2] O [ 3] TiO [2]陶瓷的制备方法及微波频段介电性能的研究
机译:过渡金属纯簇和混合簇的密度泛函研究:Nb_4,Co_4和Nb_2Co_2