首页> 外文OA文献 >非均相沉淀法制备的Sr_(3-x)Si_(1-x)Al_xO_5:xCe~(3+)荧光粉及其发光性能
【2h】

非均相沉淀法制备的Sr_(3-x)Si_(1-x)Al_xO_5:xCe~(3+)荧光粉及其发光性能

机译:非均相沉淀法制备的Sr_(3-x)Si_(1-x)Al_xO_5:xCe~(3+)荧光粉及其发光性能

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

采用非均相沉淀法制备了Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+荧光粉,并与高温固相法制备的该荧光粉进行了对比。以XRD、SEM和荧光光谱分析来表征所制备的荧光粉。结果表明,非均相沉淀法比高温固相反应法制备的荧光粉相纯度更高,颗粒分布更窄,晶面清晰,团聚程度小,相对发光强度也更高。荧光粉的激发光谱为270~500 nm的双峰宽带,最强激发峰位于417 nm处。发射光谱为450~700 nm的单峰宽带,峰值位于525nm处。电荷补偿剂对荧光粉相对发光强度影响较大,外加Al3+置换Si4+作为电荷补偿剂比外加Li+置换Sr2+的效果更好。
机译:采用非均相沉淀法制备了Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+荧光粉,并与高温固相法制备的该荧光粉进行了对比。以XRD、SEM和荧光光谱分析来表征所制备的荧光粉。结果表明,非均相沉淀法比高温固相反应法制备的荧光粉相纯度更高,颗粒分布更窄,晶面清晰,团聚程度小,相对发光强度也更高。荧光粉的激发光谱为270~500 nm的双峰宽带,最强激发峰位于417 nm处。发射光谱为450~700 nm的单峰宽带,峰值位于525nm处。电荷补偿剂对荧光粉相对发光强度影响较大,外加Al3+置换Si4+作为电荷补偿剂比外加Li+置换Sr2+的效果更好。

著录项

  • 作者

    彭杰; 曾人杰; 李郎楷;

  • 作者单位
  • 年度 2012
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 zh
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号