Fabrication and Characterization of Si-based SiGe Relaxed Buffer Layer by Oxidation

摘要

摘要 Si基SiGe异质结构因其优良的性质，与成熟的Si工艺相兼容，成为制备高性能硅基微电子与光电子器件的重要材料。SiGe弛豫衬底克服了SiGe晶格失配的限制，是实现高性能Si基SiGe光电子与微电子器件集成的理想平台。传统的SiGe弛豫衬底的制备方法是采用Ge组分渐变缓冲层，为了获得较高的Ge组分，其外延厚度达数μm，外延非常耗时，且表面粗糙度较大，需进行化学机械抛光，成本很高。因此需要寻找一种能够制备表面平整、表面Ge组份较高、厚度较薄的有效的弛豫衬底的方法，以降低成本和方便后续器件制作工艺。 本文以制备Si基SiGe弛豫衬底为目的展开研究，采用氧化低Ge组分SiGe实现Ge的浓缩，...