Design, Fabrication and Application of 4H-SiC Based Ultraviolet Antireflection Coatings for Photodetectors

摘要

碳化硅（SiC）材料由于具有宽禁带（4H-SiC为3.26eV）、高击穿电场、高热稳定性等优点，在紫外光电探测领域展现出了极大的潜力。各种结构的4H-SiC基紫外探测器（如肖特基、金属-半导体-金属（MSM）、p-i-n以及雪崩探测器等）在尾焰探测、臭氧层检测、短波通讯等方面展现出了良好的应用前景。 为了提高探测器对入射光线的吸收效果，一般采用热氧化的方法在4H-SiC紫外探测器的入射表面上生长一层SiO2薄膜，作为探测器的减反射膜和钝化层，以提高器件的量子效率和响应度。这层SiO2薄膜虽然在抑制器件暗电流方面起到了良好的作用，但是在消除光学损耗方面却具有一些不可避免的缺点，主要是：对紫外线...