Growth and device development of high efficiency and high power LED

摘要

GaN基大功率LED作为第四代电光源，具有体积小、低电压、寿命长、效率高、节能等优良特性，但目前还存在转换效率低、光通量小、可靠性差等缺点。这主要是由蓝宝石异质外延GaN晶格质量较差、GaN材料强烈的极化效应、p型GaN激活效率低等原因造成。本论文利用高分辨X光衍射（HRXRD）、光荧光（PL）与芯片测试等技术，设计并优化了底层GaN、有源区和p型层等关键结构的生长工艺，有效地改善大功率LED的光电性能，主要结论如下：1.PSS衬底外延GaN晶格质量的提升：研究了湿法制作图形化蓝宝石衬底，并在其上外延GaN和LED全结构。PL测量结果显示PSS衬底上外延GaN的本征峰发光强度要明显强于普通蓝宝...