AlGaN-based quantum optoelectronic materials and devices for ultraviolet energy conversion

摘要

随着信息化社会的迅速发展，人们对信息存储容量和传递速率的要求日益提高。光子作为信息传递的载体，通过与电子间的能量转换，能够很好地实现信息的传输和交换；而具有全新物理原理的量子器件，更能满足光电器件高度集成的发展需求。鉴于当前人们的社会需求正向环境保护、医疗卫生、军事监测、光电对抗等诸多领域扩散，亟待开发以量子能量转换为基础的半导体短波长、紫外及深紫外光电子器件。AlGaN材料作为III族氮化物体系的成员之一，具有直接带隙可调范围广、结构稳定性好及临界击穿电压高等独特的优势，是制备紫外乃至深紫外量子能量转换光电子器件的材料基础。本论文针对AlGaN半导体光电子器件亟待解决的问题，围绕AlGaN材...