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【2h】

Growth and charge storage properties of semiconductor-metal nanocrystals on Si Substrates

机译：硅衬底上半导体金属纳米晶体的生长和电荷存储特性

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纳米晶浮栅非挥发性存储器具有单位面积小，集成密度大，编程电压低，编程速度快，低功耗，与现存硅技术兼容等等优点；有望取代传统浮栅非挥发性存储器成为主流的Flash产品。因此研究制备纳米晶浮栅存储器，提高器件性能有重要意义。本论文通过优化纳米晶和氧化层的质量，制备出低功耗纳米晶浮栅存储器，为纳米晶浮栅存储器的应用打下基础。本文首先在Si衬底上制备了GeSi量子点和Au纳米晶，对不同尺寸Au纳米晶的电荷存储性能进行研究；优化控制氧化层HfO2的质量，提升了Au纳米晶浮栅存储器的电荷存储性能，最后制备低功耗Au纳米晶浮栅存储器。本论文的主要工作和成果如下： 1、采用阳极氧化的方法，结合超高真空环...

机译：纳米晶浮栅非挥发性存储器具有单位面积小，集成密度大，编程电压低，编程速度快，低功耗，与现存硅技术兼容等等优点；有望取代传统浮栅非挥发性存储器成为主流的Flash产品。因此研究制备纳米晶浮栅存储器，提高器件性能有重要意义。本论文通过优化纳米晶和氧化层的质量，制备出低功耗纳米晶浮栅存储器，为纳米晶浮栅存储器的应用打下基础。本文首先在Si衬底上制备了GeSi量子点和Au纳米晶，对不同尺寸Au纳米晶的电荷存储性能进行研究；优化控制氧化层HfO2的质量，提升了Au纳米晶浮栅存储器的电荷存储性能，最后制备低功耗Au纳米晶浮栅存储器。本论文的主要工作和成果如下： 1、采用阳极氧化的方法，结合超高真空环...

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作者
唐锐钒;
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年度 2013
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