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【2h】

Synthesis of Ⅱ-Ⅵ(ZnO,CdSe) nanostructured materials and its application as photodetector

机译:Ⅱ-Ⅵ(ZnO,CdSe)纳米结构材料的合成及其在光电探测器中的应用

摘要

本文的研究内容主要分为两个部分:一ZnO纳米材料的制备及其在光电探测领域内的应用;二基于CdSe材料的光电导探测器的研制。 PartAZnO纳米材料的制备及其在光电探测领域内的应用 本部分的研究工作与成果如下: 一:研究不同激光能量密度的248nm脉冲激光对ZnO材料的影响,发现随着能量密度的增加,制备的ZnO薄膜材料的结构发生变化,当能量密度达到2.5J/cm2时,ZnO薄膜变成纳米片结构材料,其原因可能是来自高能量密度激光产生的非线性效应。 二:分析研究了金属Zn薄膜在不同的条件下氧化得到ZnO材料的特性,提出金属Zn氧化法制备ZnO生长模型。通过控制氧化的时间、温度以及采用金作为...
机译:本文的研究内容主要分为两个部分:一ZnO纳米材料的制备及其在光电探测领域内的应用;二基于CdSe材料的光电导探测器的研制。 PartAZnO纳米材料的制备及其在光电探测领域内的应用 本部分的研究工作与成果如下: 一:研究不同激光能量密度的248nm脉冲激光对ZnO材料的影响,发现随着能量密度的增加,制备的ZnO薄膜材料的结构发生变化,当能量密度达到2.5J/cm2时,ZnO薄膜变成纳米片结构材料,其原因可能是来自高能量密度激光产生的非线性效应。 二:分析研究了金属Zn薄膜在不同的条件下氧化得到ZnO材料的特性,提出金属Zn氧化法制备ZnO生长模型。通过控制氧化的时间、温度以及采用金作为...

著录项

  • 作者

    徐强;

  • 作者单位
  • 年度 2015
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 zh_CN
  • 中图分类

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